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化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺,指的是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化,是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺。
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